Power Module per SiC/GaN Driver

Brand:
  • Range di temperatura operativa: -40°C – +105°C;
  • Alta efficienza fino all’82%;
  • SIP package
  • I/O isolation test voltage: 3.5kVAC/ 6kVDC
  • Capacità circuitale molto bassa
  • Protezione continua da cortocircuito
  • Pin-out standard industriale
  • Uscite asimmetriche

Descrizione

DESCRIZIONE

Power Module per SiC/GaN Driver

L’alimentatore per driver SiC/GaN di Mornsun è l’alimentatore DC-DC progettato per il driver SiC che richiede due set di isolamento.

Oggigiorno, il mosfet SiC ha gradualmente sostituito l’IGBT in situazioni di alta tensione e alta frequenza a causa della sua bassa resistenza all’accensione e della bassa corrente di dispersione.

Il Power Module per Sic/GaN Driver è dotato di protezione da cortocircuito e da capacità di ripristino automatico.

La capacità circuitale ultra bassa può migliorare la capacità di anti-interferenza. Il built-in common-ground mode (la modalità delle uscite a massa comune incorporata) migliora la fornitura di energia per l’accensione e lo spegnimento del driver SiC.

Questo modulo di alimentazione del driver SiC/GaN è dotato di protezione da cortocircuito in uscita, che può essere ampiamente utilizzata in convertitori universali, sistemi di servoazionamenti AC, apparecchiature di saldatura elettrica, gruppi di continuità (UPS), colonnine elettriche. In definitiva un un alimentatore gate driver isolato di alta qualità.

APPLICAZIONI

Il Power Module per Sic/GaN driver può essere ampiamente utilizzato in:

  • Inverter generale
  • Sistema di servoazionamento CA
  • Saldatrice elettrica
  • Gruppo di continuità (UPS)
  • Colonnine elettriche

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    Power Module per IGBT driver

    Range di temperatura operativa: -40°C – +85°C;
    Alta efficienza fino all’88%;
    Uscite asimmetriche
    SIP/DIP package
    I/O isolation test voltage: fino a 5000VDC
    Capacità circuitale molto bassa
    Protezione continua…

    Brand:

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