• Power Module for SiC/GaN Driver
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    Power Module per SiC/GaN Driver

    Range di temperatura operativa: -40°C – +105°C;
    Alta efficienza fino all’82%;
    SIP package
    I/O isolation test voltage: 3.5kVAC/ 6kVDC
    Capacità circuitale molto bassa
    Protezione continua da cortocircuito
    Pin-out standard…

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